方健 （电子科技大学教授）

人物经历

教育背景

2000.09－2005.05 电子科技大学，微电子与固体电子专业，博士学位。

1991.09－1994.03 电子科技大学，微电子与固体电子专业，硕士学位。

1987.09－1991.06 四川大学，物理专业，学士学位。

工作履历

2011.06－ 今 微电子与固体电子学院，教授。

2001.06－2011.06 微电子与固体电子学院，副教授。

1994.03－2001.06 微电子与固体电子学院，讲师。

研究方向

高压功率集成电路

研究可集成高压功率器件新结构，先进高压BCD工艺，高低压隔离技术，高压电路拓扑结构研究等。

高密度功率集成电路

研究可集成高功率密度器件，先进高功率密度BCD工艺，高功率密度电路拓扑结构及控制理论研究等。

新型高压功率器件

研究包含IGBT，Cool在内的新型功率器件，研究高速电导调制器件结构及机理，器件可靠性研究等。

研究条件：

所属的PITL研究团队拥有TCAD设计平台(科803室），拥有Cadence， Medici，Silvaco，ISE等器件、工艺、电路仿真软件。建有功集成电路测试分析实验室（科903室），拥有功率器件及电路测试分析设备50余套台，总价值1500余万元。可完成器件及电路的稳态和瞬态电学参数测试与分析，可靠性参数测试与分析，芯片级测试及芯片分析等工作。

主要贡献

先后负责、参加和完成了"九五"，"十五"军事电子预研项目等十余项重大的科研项目的工作，其中已鉴定的项目共五项。其中国防科技预研基金项目"具有非准静态等离子体输运的电导调制功率器件"和国防行业基金项目“电导调制功率器件的非准静态输运特性研究”,于2000年获国防科技进步二等奖（排名第二）。目前参加的在研项目有“十五”国防科技预研项目两项，863项目一项重点试验室基金项目三项，自然科学基金项目一项，其他项目近十项。在国内外核心刊物和国际学术会议上发表文章近二十余篇，多篇被SCI、Ei收录。

获奖记录

由于在工作中取得的成绩，荣获“四川省在工作中有突出贡献的博士、硕士毕业生”称号。

2010年，国家科技进步二等奖。

2009年，四川省科技进步一等奖。

2000年，国防科技二等奖。

2000年，四川省在工作有特殊贡献的硕博士毕业生称号。

先后5次获得校科技成果奖，校教学成果奖。