长鑫存储技术有限公司于2017年11月16日成立。法定代表人赵纶。

本页面主要目录有关于长鑫存储技术有限公司的:公司规模、公司业务、合作交流、获得荣誉等介绍

中文名

长鑫存储技术有限公司

成立日期

2017年11月16日

经营状态

存续

登记机关

合肥市经济开发区市场监督管理局

统一社会信用代码

340194000171035

总部地址

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

简介

公司经营范围包括:存储技术服务;集成电路设计、制造、加工、技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务、技术培训及技术检测;电子产品销售并提供售后服务及技术服务;半导体集成电路芯片研发、设计、委托加工、销售;计算机软硬件及网络软硬件产品的设计、开发;计算机软硬件及辅助设备、电子元器件、通讯设备的销售;设备、房屋租赁;产业并购;股权投资;自营和代理各类商品和技术的进出口业务(但国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外)等。

2022年11月25日,长鑫存储与上海闵行区、临港集团签订三方战略合作协议。

公司规模

长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产。

2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得专利组合。

2019年底,长鑫存储从Polaris获得DRAM技术专利的实施许可。

公司业务

产品介绍

2020年2月,长鑫存储官方网站上,公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片。

长鑫DDR4内存芯片,支持多领域应用、多产品组合,规格方面单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。

这些芯片采用国产第一代10nm级工艺制造,预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。

DDR4内存条是长鑫自主开发设计,搭载原厂颗粒,提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型,容量均为单条8GB,频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃。

LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求,兼备高速度与低功耗,可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验,规格方面单颗容量2GB、4GB,频率3733MHz,电压1.8V、1.1V、0.6V,工作温度-30℃至85℃,200ball FBGA封装。

合作交流

2022年11月25日,长鑫存储与上海闵行区、临港集团签订三方战略合作协议。

获得荣誉

2022年11月2日,中科院《互联网周刊》、eNet硅谷动力、德本咨询联合发布“2022集成电路独角兽企业TOP50”,长鑫存储技术有限公司在其中。