男,副教授。

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国籍

中华人民共和国

民族

汉族

性别

职业

教师

人物经历

2002年至2003年在日本北海道大学电子科学研究所作访问学者,用新的金属有机物源研究和生长发光波长为1.55mm的GaInNAs/GaAs 量子阱激光器。

2003年至2004年在香港科技大学电子电机工程系作客座研究员,研究与开发MOCVD生长锑化物材料的变形异质双集结晶体管 (Metamorphic HBT)和变形异质结高迁移场效应晶体管(Metamorphic HEMT)。

2004年底回国到电子科技大学工作。

研究方向

III-N(GaN、GaInN、AlGaN等)材料的光电子、微电子器件(HEMT、HBT)设计、制备及微系加工技术MEMS)研究。

主要贡献

在《Appl. Phys. Lett.,》、《J. Cryst. Growth.》、《Applied surface science.》、《Journal of Electronic Materials》、《J. Vac. Sci. Technol.》、《J. Appl. Phys.》等SCI重要刊物上发表论文三十多篇,主要研究领域为:III-V族化合物半导体异质结构材料的MOCVD和MBE外延生长、物理及器件应用研究。