袁凯,男,汉族,电子科技大学光电信息学院研究员。

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国籍

中华人民共和国

民族

汉族

个人简介

1982年7月毕业于天津市南开大学物理系,2001年结业于吉林大学在职研究生班。

1982年于沈阳某微电子研究所参加工作:

1982年~1985年,任离子注入工艺技术员

1985年~1993年,负责蒸发、溅射工艺技术负责。

1991年~1994年,从事器件工程师工作,先后承担过若干种NMOS、CMOS电路的研制工作,负责器件的工艺设计、工艺串线及工艺调整。

1995年~1999年任研究所芯片研制中心工艺线线长,负责工艺线所有器件(包括NMOS、CMOS、TTL器件)的工艺设计,工艺实施、工艺调整及生产管理。高级工程师

1999年~2001年,任研究所芯片研制中心副主任。研究员

2001年~2006年任研究所芯片研制中心主任。

2006年任研究所副总工师。

2006年任电子科技大学光电信息学院研究员。

研究方向

十几年来,先后承接国家及部下达的科研任务有几十项,开展的基础工艺研究项目有:

肖特基TTL电路多层电极技术研究;

难熔金属及硅化物技术研究;

高温定薄膜电阻技术研究;

VLSI高性能LDDMOSFET工艺研究;

特种内存多层多晶结构的生成、及腐蚀工艺研究;

特种内存优质薄层栅氧化特性研究;

抗辐照工艺技术研究;

红外焦平面双阈值、双层多晶工艺技术研究;

现从事研究方向:

MEMS工艺技术研究;

光电集成器件技术研究等。