男，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师，入选中科院"百人计划”。现为担任纳米器件与物理9组组长，主要从事半导体量子材料的生长、物性和器件研究。

本页面主要目录有关于张建军的：主要研究方向、教育和研究、工作及成果、课题及展望、培养研究生等介绍

国籍

中华人民共和国

民族

汉

主要研究方向

半导体量子材料的生长、物性和器件研究

教育和研究

1997-2004年湘潭大学物理系本科、硕士，

2005-2010年德国马普固体研究所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士生并获博士学位，

2010-2012年德国莱布尼兹固体和材料研究所从事博士后研究，

2013-2014年澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心(Vice-Chancellor's PostdoctoralFellow)独立开展原子尺度半导体器件的研究。

工作及成果

发现了以Stranski-Krastanov (S-K) 生长模式在硅衬底上大规模生长锗纳米线的新方法，在零维量子点被发现22年之后把它推广到了一维纳米线(PRL 109, 085502 (2012))。美国物理学会网站同期以题为“Self-Elongating Nanowires”对该工作进行了报道，现代物理评论文章对该工作进行了整段评述。这种超小 (高度仅3个晶胞) 且均匀的锗纳米线为研究新奇的量子输运现象及构造硅基纳米器件开辟了一个全新的途径。

发现了图形衬底上有序量子点形貌及成分的周期性震荡行为(PRL 105, 166102 (2010))；

利用锗硅量子点，巧妙设计获得了有序的硅量子点分子（APL 96, 193101 (2010)，期刊封面）；

和IBM的J. Tersoff及米兰的科学家一起发现了图形衬底的反常变平滑行为(PRL 109, 156101, (2012))。硅应变工程。通过巧妙设计和合理优化，使硅沟道中的张应力（提高电子迁移率）和压应力(提高空穴迁移率)分别达到了1.5%和0.8%。

和代尔夫特理工大学等单位的同事，共同发明了用锗硅量子点构造应变硅来提高电子迁移率的晶体管(IEEE Electron Device Letters 31, 1083(2010))。

1.

(PRL 109, 085502 (2012))

2.

(PRL 105, 166102 (2010))

3.

（APL 96, 193101 (2010)，期刊封面）

4.

(PRL 109, 156101, (2012))

5.

(IEEE Electron Device Letters 31, 1083(2010))

课题及展望

课题包括国家重点研发计划，基金委重点、面上项目，科学院重点项目及华为公司合作项目。具体研究工作重点包括：

(1) 硅基半导体量子芯片材料，包括可控生长低维锗纳米结构和硅锗异质结构等；

(2) 硅基光电子材料的生长和器件，包括全IV族高效发光材料的生长探索及IV族硅锗和III-V族材料界面可控的混合生长和光电子器件研究；

(3) 低维量子材料如Ge/Si, InAs/GaAs量子线的可控生长及界面调控的异质结构生长与物性研究。基础研究上期待在常规半导体中发现新的物理现象，应用研究上期待实现硅基高效激光光源和相应器件集成。

培养研究生

现有学10名左右，课题组氛围民主和谐融洽，以学生为本的原则培养学生。计划招收硕博生或博士生2-3名，欢迎动手能力强，踏实肯干，有相关背景（物理，材料，电子工程）的考生报考。