张建军 （南开大学信息科学院研究员）

基本信息

张建军 男 南开大学信息科学院研究员; 副院长

个人简介

1992年7月于南开大学电子科学系本科毕业，1997年7月于南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硕士毕业，2003年东京工业大学综合理工学研究科物理情报系统创造专攻博士毕业。2003-2004东京工业大学大学院理工学研究科附属像情报工学研究施设博士后。2004年晋升为副教授，2005年晋升为教授。目前主要从事薄膜光电子材料、器件与技术和新型光伏材料与光伏器件方面的研究工作。主要研究方向为柔性硅薄膜太阳电池、硅锗薄膜材料与电池、有机无机复合太阳电池。

科研项目

目前主持科技部863项目一项，天津市重点基金项目一项，十二五973项目子课题一项（2011.1至2015.8）

社会兼职

IEEE member、中国真空学会高级会员、中国太阳能学会会员

讲授课程

薄膜材料测试与分析技术（硕士）, 光伏材料与器件概论（硕士）, 新型光伏材料与器件（博士）

论文专著

1. Ziyang Hu, Jianjun Zhang*, et al, “Influence of ZnO interlayer on the performance of inverted organic photovoltaic device”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, accepted.

2. Ziyang Hu, Jianjun Zhang*, et al, “Performance of electron beam deposited tungsten doped indium oxide films as anodes in organic solar cells”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, accepted.

3. Ziyang Hu, Jianjun Zhang*, et al, “Influence of doped PEDOT:PSS on the performance of polymer solar cells”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, accepted.

4. Ziyang Hu, Jianjun Zhang* et al, Highly efficient organic photovoltaic devices using F-doped SnO2 anodes, Appl. Phys. Lett, 98, 123302 (2011).

5. 郝志红，胡子阳，张建军*等，“掺杂PEDOT:PSS对聚合物太阳能电池性能影响的研究”，物理学报，已接收。

6. Jian Ni; Jianjun Zhang; Yu Cao; Xianbao Wang; Xinliang Chen; Xinhua Geng; Ying Zhao, “Low temperature deposition of high open-circuit voltage (>1.0V) p-i-n type amorphous silicon solar cells”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, accepted.

7. Ni Jian, Zhang Jian-Jun*, Cao Yu, Wang Xian-Bao, etc., “Open-circuit voltage analysis of p-i-n type amorphous silicon solar cells deposited at low temperature”, Chinese Physics B, accepted.

8. 张亚萍，张建军*，李文杰，耿新华，赵颖, “退火对活性层P3HT:PCBM性能的影响”, 太阳能学报, Vol. 32,No.2,220-224.

9. 李文杰1,2，张建军1*，张亚萍1，胡子阳1，郝秋艳2，赵颖1，耿新华1，“退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳能电池性能的影响”，光电子激光，Vol. 21, No. 11, 1602-1404。

10. 倪牮，张建军*，王先宝，李林娜，侯国付，孙健，耿新华，赵颖，“低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池”，光电子激光，Vol. 21 No. 2，217-221.

11. 倪牮，陈新亮，曹丽冉，张建军，薛俊明，孙健，王先宝，韩东港，张德坤，赵颖，耿新，“nip型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究”，光电子激光，2010年第1期, Vol. 21, No.1, 55-58.

12. 倪牮，张建军*，曹丽冉，李林娜，孙健，耿新华，赵颖, “氩等离子体处理PET在非晶硅太阳电池中的应用”，光电子激光，2009年第11期，Vol.20, No.11, 1417-1421.

13. 张亚萍，张建军*，耿新华，赵颖， “退火及掺杂对空穴传输层PEDOT:PSS电学特性的影响”，光电子激光，2009年第10期，Vol.20, No.10, 1327-1331.

14. 张丽平，张建军*，张鑫，孙健，赵颖；“衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响”，人工晶体学报，2009年04期，Vol. 38, No. 4, 831-835

15. Zhang Li-Ping(张丽平), Zhang Jian-Jun(张建军)*, Shang Ze-Ren(尚泽仁),Hu Zeng-Xin(胡增鑫), Geng Xin-Hua(耿新华), and Zhao Ying(赵颖): “Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted reactive thermal chemical vapor deposition”, Chinese Physics B, 2008, 17(9), 3448-3452.

16. 张丽平，张建军*，张鑫，尚泽仁，胡增鑫，张亚萍，耿新华，赵颖，“H2, He混合稀释生长微晶硅锗薄膜”, 物理学报，2008, 57(11), 636-641.

17. Liping Zhang; Jianjun Zhang*; Xin Zhang; Zengxin Hu; Zeren Shang; Xinhua Geng; Ying Zhao, “Growth of μc-SiGe:H thin films diluted with helium and hydrogen by VHF-PECVD”, Photovolatic Specialists Conference, 2008. PVSC '08. 33rd IEEE, 11-16 May 2008 Page(s):1 – 4

18. Ze-ren Shang, Jian-jun Zhang*, Li-ping Zhang, Zeng-xin Hu, Jun-ming Xue, Ying Zhao and Xin-hua Geng，“P-μc-Si1−xGex:H thin film by VHF-PECVD”，Optoelectronics Letters，2008, 4（2），130-132.

19. 尚泽仁, 张建军*, 张丽萍, 胡增鑫, 孙　建, 薛俊明, 赵　颖, 耿新华，“VHF-PECVD 法制备P 型微晶硅锗的研究”，光电子激光，2008，19（8），1060-1062.

20. Zhang, LP; Zhang, JJ*; Shang, ZR; Hu, ZX; Sun, J; Zhao, Y; Geng, XH, “SiGe : H thin films prepared by plasma assisted reactive thermal chemical vapor deposition”, PROCEEDINGS OF ISES SOLAR WORLD CONGRESS 2007: SOLAR ENERGY AND HUMAN SETTLEMENT, VOLS I-V1252-1256 2007

21. Shang, ZR; Zhang, JJ*; Zhang, LP; Hu, Z; Xue, JM; Zhao, Y; Geng, XH, “Study of P-mu c-Si1-xGex : H thin film by VHF-PECVD”, PROCEEDINGS OF ISES SOLAR WORLD CONGRESS 2007: SOLAR ENERGY AND HUMAN SETTLEMENT, VOLS I-V, 1257-1260 2007

22. 耿新华 张建军，“硅基薄膜太阳电池新进展”，新材料产业，2007年7期

23. Zhang Jianjun, Hu Zengxin, Gu Shibin, Zhao Ying, Geng Xinhua: “Hydrogenation of Polycrystalline SiGe Thin Films by Hot Wire Technique”,（Chinese Journal of Semiconductors）, Vol. 28, No. 3, Mar. 2007,

24. J. J. Zhang, K. Shimizu, Y. Zhao, J. M. Xue, X. H Geng, S. Z. Xiong, C. Y. Wu, J. Hanna：“influences of GeF4 on poly-SiGe films prepared by Reactive Thermal CVD”, Journal of Non-Crystalline Solids, Volume 352, Issues 9-20, 15 June (2006), Pages 1275-1278.

25. Jianjun Zhang, Kousaku Shimizu2, Ying Zhao1, Xinhua Geng1, Jun-ichi Hanna2, “Silicon-based narrow bandgap thin film semiconductor materials: polycrystalline SiGe prepared by reactive thermal CVD”, phys.stat.sol.(a), 203 (4) (2006), 760-775.

26. Jianjun Zhang, Kousaku Shimizu, Jun-ichi Hanna: “High Mobility Top-gate Thin Film Transistors Fabricated With Poly-Si1-xGex Thin Films on Glass Substrate”, Journal of Non-Crystalline Solids, 338-340, pp.740 (2004).

27. Jianjun Zhang, Kousaku Shimizu, Jun-ichi Hanna: “Growth and Characterization of Poly-SiGe prepared by Reactive Thermal CVD”, Material Research Society symposium proceedings, 2004 Vol. 808, A9.28.