中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)简称中芯国际,成立于2000年,中央汇金投资有限责任公司、上海市国有资本经营管理中心、北京市国有资本经营管理中心等多家国有资本投资的公司共同出资成立,现任最高管理者:高永岗(董事长)。中芯国际总部位于中国上海,拥有全球化的制造和服务基地,中芯国际还在美国、欧洲、日本和中国台湾设立营销办事处、提供客户服务,同时在中国香港设立了代表处。

本页面主要目录有关于中芯国际集成电路制造有限公司的:发展历程、公司治理、研究成果、公司业务、公司业绩、公司文化、社会责任、所获荣誉、公司事件等介绍

中文名

中芯国际集成电路制造有限公司

英文名

SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation)

别名

中芯国际、中芯

成立日期

2000年4月3日

所属城市

上海

总部所在地

浦东新区

所属行业

半导体制造

组织形式

有限责任公司

创始人

王阳元、张汝京

主要股东

国有股东、外资股东、内资股东

法定代表人

高永岗

年营业额

约356.31亿元(2021年)

经营状态

在业

经营范围

提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务

注册资本

1,000,000万(美元)

上市地点

纽约证券交易所、香港联合交易所

股票代码

纽交所:SMIC,港交所:0981

官方网站

https://www.smics.com

简介

中芯国际向全球客户提供0.35微米到FinFET不同技术节点的晶圆代工与技术服务,包括从设计验证到量产的全流程服务。公司目前的生产线主要采用40纳米、28纳米、14纳米、7纳米等工艺。其客户包括全球知名的半导体设计公司和系统制造商。2022年末,IPRdaily中文网与incoPat创新指数研究中心联合发布“科创板488家上市企业有效发明专利排行榜”,其中,中芯国际以7710件专利位列第一。

中芯国际获得过多项荣誉奖项,曾多次上榜《财富》中国500强排行榜、入选艾媒金榜等,被称为中国大陆集成电路制造业领导者。

发展历程

公司成立及初期发展(2000-2008)

中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)成立于2000年4月,是中国大陆第一家专门从事集成电路制造的公司,总部位于上海张江高科技园区。初期,中芯国际主要从事8英寸晶圆制造业务。

2003年,中芯国际实现了0.13微米后段铜制程晶圆试产,被《半导体国际》杂志授予“年度最佳半导体厂”奖项。2004年3月17日,中芯国际在美国纳斯达克发行预托证券(ADR),成为首家在美国纳斯达克挂牌上市的中国晶圆制造公司。同年3月18日,中芯国际于香港联合交易所及纽约证交所同步上市。此后,中芯国际不断提升生产能力,并在2005年中芯国际北京FAB4正式量产,使用0.11微米及0.10微米生产工艺为英飞凌、尔必达制造512Mb DDR2 SDRAM,首季12英寸晶片的产能约为4550片。

2007年8月21日, 中芯国际与奇梦达(Qimonda)的合作协定进一步扩展了两家公司在DRAM产品生产领域的现有合作,开始了80纳米工艺产品的合作生产。按照协议,奇梦达将80纳米DRAM沟槽技术和12英寸产品生产技术转让给中芯国际北京,并可在未来期间灵活进行75纳米技术的进一步转让。中芯国际还与飞索(Spansion)合作,飞索将向中芯国际转让65纳米MirrorBit技术,从而让中芯国际进入特定的快闪存储器细分市场。2007年12月10日,中芯国际上海12英寸(FAB8)成功投产并进入正式运营阶段。这一设备于2005年10月开工建设,5月开始设备迁入,并于7月开始试生产90纳米及以下逻辑芯片。中芯国际还与IBM联合宣布,双方已签订45纳米bulk CMOS技术许可协定,IBM将把该技术转移给中芯国际,此技术可用于移动通讯产品的应用,例如整合了3G、多媒体、图像处理以及芯片组功能的高端手机。

快速发展阶段(2008-2014)

2008年,中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司正式成立。中芯国际开始扩大业务范围,拥有了中芯国际第一个通过ISO 27001信息安全认证的芯片制造生产线。此外,公司还开始向更高端的工艺领域发展,中芯国际宣布,第一批45纳米产品成功通过良率测试,标志着45纳米工艺进入一个新的里程。

2009年6月30日,中芯国际发文宣布,在首批完整流程芯片上已成功验证45纳米高性能工艺的良率,该工艺不仅适用于系统级芯片、图形和网络处理器、电信和无线消费电子产品,还可以作为技术平台应用于快速成长的中国市场。

2013年,中芯国际及其子公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与北京工业发展投资管理有限公司、中关村发展集团合作,成立了中芯北方集成电路制造(北京)有限公司。该合资公司旨在建设中芯北京二期项目,投资总额预计为35.9亿美元,专注于45纳米及更精细集成电路的量产,预期产能达到每月35000片晶圆。

高端制造阶段(2014-至今)

中芯国际进入高端制造阶段后,取得了多项重要进展,尤其在先进工艺领域。2015年,中芯国际成功将其28纳米工艺核心芯片应用于主流智能手机的高通骁龙™410处理器,这一重大里程碑开启了中国先进手机芯片制造的新时代。此后,中芯国际继续在北京工厂进行28纳米技术节点的成功量产,巩固了其作为中国内地晶圆代工领头企业的地位,也提高了其在全球先进工艺晶圆代工领域的竞争力。

中芯国际不仅在28纳米技术节点取得了成功,还在2017年实现了国内首次28纳米FD-SOI工艺量产,2019年推出了自主知识产权的14纳米FinFET工艺晶圆。此外,公司的第一代14纳米FinFET技术在2018年进入客户验证阶段,同时12纳米工艺开发也取得了突破。2019年,上海中芯南方FinFET工厂成功建成并开始产能布建,12纳米工艺也进入了客户导入阶段,第二代FinFET研发进展喜人。

在这个阶段,中芯国际还积极推动产业链合作,在与上下游企业展开深入合作的同时,逐步扩大了在全球市场上的份额,成为了国际市场上的一股重要力量。到了2021年底,中芯国际的员工已超过2万人,年收入超过100亿美元。作为中国领先的集成电路制造企业之一,中芯国际在国家经济发展和科技创新中扮演着重要的角色。

公司治理

管理团队

治理架构

董事会下设审计委员会、薪酬委员会、提名委员会和战略委员会,各委员会受其各自职权范围的管治。

中芯国际集成电路制造有限公司

董事会名单

截止2023年9月6日,中芯国际董事会现有成员9人。

姓名

职务

简述

刘训峰

董事长、执行董事

博士学历,同时担任上海化学工业区发展有限公司副董事长,亦任第十四届全国政协委员、中国石油和化学工业联合会副会长、上海市新材料协会会长。曾先后荣获上海市工商业领军人物、上海市优秀企业家等称号。刘博士为西安交通大学管理科学与工程专业博士,中欧国际工商学院工商管理硕士、华东化工学院(现称华东理工大学)化学工程系反应工程专业硕士及教授级高级工程师

鲁国庆

非执行董事

鲁先生长期在技术研发和企业管理岗位工作,担任企业主要负责人多年,具有丰富的经营管理经验。现任中国信科党委书记、董事长;烽火科技集团有限公司党委书记、董事长、总裁;武汉邮电科学研究院有限公司党委书记、董事长、总经理

陈山枝

非执行董事

陈博士拥有近30年从事信息通信技术与产品的研究与开发、技术与战略管理工作经验。现任中国信科副总经理、总工程师、科技委主任

杨鲁闽

非执行董事

同时担任国家集成电路基金董事及国家集成电路基金二期董事。杨先生曾在国家开发银行国际金融局、投资业务局、人事局、江苏省分行及国开金融有限责任公司工作,现任华芯投资管理有限责任公司党委副书记、总裁及董事。杨先生为高级经济师,于2003年取得北京大学金融学硕士学位

刘遵义

独立非执行董事

同时担任友邦保险控股有限公司(1299.HK)独立非执行董事、远传电信股份有限公司(4904.TW)独立董事等职,刘教授于斯坦福大学取得物理学理学士学位,并于加州大学柏克莱分校取得经济学文学硕士与哲学博士学位

范仁达

独立非执行董事

同时担任东源资本有限公司主席兼董事总经理、中信资源控股有限公司(1205.HK)独立非执行董事、统一企业中国控股有限公司(0220.HK)独立非执行董事、上海实业城市开发集团有限公司(0563.HK)独立非执行董事

刘明

独立非执行董事

刘院士自2021年至今担任复旦大学教授,1988年至1995年担任烟台大学助理教授,1999年至2020年先后担任中国科学院微电子研究所副教授、教授,2015年当选为中国科学院院士,2019年被授予发展中国家科学院(TWAS)院士

吴汉明

独立非执行董事

吴院士为微电子技术专家,现任浙江大学微纳电子学院院长,中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长,浙江创芯集成电路有限公司董事长,睿力集成电路有限公司独立董事,比亚迪半导体股份有限公司独立董事,拓荆科技股份有限公司(688072.SH)独立董事,以及北方华创科技集团股份有限公司(002371.SZ)独立董事,吴院士于1987年获中国科学院力学研究所博士学位,2019年当选中国工程院院士

郭光莉

资深副总裁、董事会秘书及公司秘书

现任本公司资深副总裁、董事会秘书兼公司秘书,亦任上海证券交易所第六届复核委员会委员、中国企业财务管理协会专家委员会委员、中央财经大学客座导师。郭女士曾任大唐电信科技产业集团党委委员、总会计师,兼任大唐电信财务公司董事长等职务,具有丰富的公司治理、财务管理及资本市场投融资项目经验。郭女士为中国注册会计师,于北京航空航天大学获得法学学士学位,于中央财经大学获得会计学硕士学位

以上数据更新截至2023年9月6日,参考来源:

组织架构

中芯国际总部位于中国上海,拥有全球化的制造和服务基地,在上海、北京、天津、深圳建有三座8英寸晶圆厂和四座12英寸晶圆厂;在上海、北京、天津各有一座12英寸晶圆厂在建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和中国台湾设立营销办事处、提供客户服务,同时在中国香港设立了代表处。

研究成果

专利成果

截至2022年末,IPRdaily中文网与incoPat创新指数研究中心联合发布“科创板488家上市企业有效发明专利排行榜”,其中,中芯国际以7710件专利位列第一。截至2022年7月,中芯国际及其关联公司目前共有1.7万余件专利申请,其中近90%的专利由其子公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司进行申请。经智慧芽TFFI科创力评估,该子公司在新一代信息技术产业中电子核心产业的科创能力评级为A级,共有1.5万余件专利申请。中芯国际上海公司全部1.5万余件专利累计被引用超过5.2万次。引用次数最多的专利申请人,除了中芯国际关联企业外,还有诸如台积电、AMAT、IBM、联华电子、格罗方德等行业知名企业。

部分专利介绍

专利名称

专利类型

公开号

专利介绍

半导体器件及其形成方法

发明专利

CN116437668A

本发明提供一种半导体器件及其形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括存储区和逻辑区;在所述存储区上形成若干相互分立的存储栅结构、以及在所述逻辑区上形成栅极膜层,所述存储栅结构包括浮栅层以及位于所述浮栅层上的控制栅层;在所述衬底上、所述存储栅结构、所述栅极膜层上形成初始半导体层;在所述初始半导体层上形成初始阻挡层,所述存储区上的所述初始阻挡层的顶部表面高于所述逻辑区上的所述初始阻挡层的顶部表面;以减少制程成本和制程周期,且优化工艺窗口,使得产品的可靠性得到提高

中芯国际集成电路制造有限公司

电感结构及电感结构的形成方法

发明专利

CN116417431A

一种电感结构及电感结构的形成方法,结构包括:衬底,包括隔离区和环绕隔离区的保护环区;位于隔离区上的若干隔离单元,包括:若干第一栅极层及位于第一栅极层两侧的第一金属层;位于保护环区上的若干第二栅极层;位于第二栅极层两侧的第二金属层;位于隔离区上和保护环区上的第一介质层,第一金属层、第一栅极层、第二栅极层和第二金属层位于第一介质层内;位于第一介质层上的第二介质层;位于隔离区上第二介质层上的若干第三金属层;位于保护环区上第二介质层上的保护环结构;位于保护环区第二介质层内的电连接层,电连接层电连接保护环结构和第二金属层。所述结构使线圈结构和衬底之间的耦合电容减少,从而增加电感的品质因数Q

中芯国际集成电路制造有限公司

光器件及光器件的形成方法

发明专利

CN116266691A

一种光器件及光器件的形成方法,结构包括:衬底,所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底;位于第二基底内的第一波导以及位于第一波导两侧的第一凹槽;位于第二基底内的第二波导以及位于第二波导两侧的第二凹槽,所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度;位于第二基底内的第三波导以及位于第三波导两侧的第三凹槽,所述第三凹槽暴露出所述埋氧层表面,所述第三波导包括第三起始区,所述第三起始区在衬底表面的投影为三角形。所述结构能够有效减小回波损耗

中芯国际集成电路制造有限公司

重要技术

全球领先的28纳米制程技术

中芯国际自主研发的28纳米制程技术是目前全球领先的技术之一,该技术已经广泛应用于移动通信、物联网、智能家居、汽车电子等领域。中芯国际的28纳米制程技术具有高性能、低功耗、高可靠性等优点,能够满足客户对于高性能、低功耗、小型化等方面的需求。

28纳米制程技术的特点

具三种不同阈值电压的核心组件易于设计优化

单埠及双端口SRAM存储单元,并提供内存编译器

提高迁移率的应力技术和潜入式硅锗工艺

高介电和金属栅极

核心组件电压:0.9V

焊线及覆晶选项

输入/输出组件电压:1.8V(低载 1.2V/和1.8V)或者2.5V(超载 3.3V,低载 1.8V)

关键层的193纳米浸润式微影技术

形成超浅结的毫秒级退火

1P10M,采用Low-k超低电介质材料(2.7)的铜互连工艺

以上资料参考来源:

应用产品

28纳米工艺制程主要应用于智能手机、平板电脑、电视、机顶盒和互联网等移动计算及消费电子产品领域。中芯国际28纳米技术可为客户提供高性能应用处理器、移动基带及无线互联芯片制造。

公司业务

主营业务

晶圆代工解决方案

  • 工艺技术

中芯国际为了满足全球客户的不同需求,中芯提供0.35微米到FinFET制程工艺设计和制造服务,包括逻辑电路、混合信号/CMOS射频电路、高压电路、系统级芯片、闪存内存、EEPROM、影像传感器,以及硅上液晶微显示技术。中芯的制造过程与技术符合最高的业界标准,与一般的晶圆代工业界标准都兼容。

  • 后段一站式服务

中芯国际提供一站式的晶圆生产制造到单颗芯片封装测试服务,与世界领先的封装测试厂合作,为客户提供包括晶圆凸块、晶圆级和芯片级尺寸封装、多种封装形式以及晶圆和芯片测试服务、彩色滤光膜及微镜等完整的后段封测服务。

合作伙伴

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

中芯国际集成电路制造有限公司

  • 光罩服务

中芯国际光罩厂提供光掩模制造服务,服务对象包括代工客户、芯片加工厂及机构等。其拥有中国大陆最大、最先进的光掩模制造设施,配备了先进的设备和工具。中芯光罩厂运用光学趋近效应修正技术(OPC),为客户提供二元铬版光掩模和相位移动光掩模,可用于G-line、I-line、DUV和ArF步进曝光机和扫描曝光机,提供5"×5"和6"×6"的光掩模。

  • 多项目晶圆服务

中芯国际提供多项目晶圆片(MPW)服务,帮助客户共享光掩膜版和一次性工程硅圆片,从而降低产品原型成本,提供更具成本效益的晶圆原型服务。该服务的技术工艺覆盖0.18微米到14纳米,适用于逻辑、混合信号/射频电路、电可擦编程只读存储器、嵌入式闪存等产品。

设计服务

中芯国际设计服务中心提供从0.35um到28nm技术节点的设计服务,提供符合最高质量标准的IP和Library,其中包括内部研发团队和认证IP供应商的作品,协助客户进行基于SMIC工艺的芯片设计。为了简化客户设计过程,还提供多种架构设计选择,包括工艺设计工具包(PDK)、技术文档、参考流程和ESD审查服务。

工艺平台

中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米芯片代工与技术服务。除了中芯国际高端的制造能力之外,为客户提供全方位的晶圆代工解决方案,以一站式服务满足客户的不同需求:从光罩制造、IP研发及后段辅助设计服务到外包服务(包含凸块服务、晶圆片探测,以及最终的封装、终测等)。全面一体的晶圆代工解决方案务求能最有效缩短产品上市时间,同时最大降低成本。

设计支持

主要分为7个步骤,分别是技术咨询和支持,以满足客户的需求;工艺/平台选择;IP/库解决方案;解决工艺,产品,工厂转移等问题;关键项目的进度、质量和风险控制管理;设计和后端支持;完整设计参考流程和指南。

流片/封装/测试

Full Mask NTO (新流片项目)

客户工程团队作为此项服务的主要客户联系窗口,为客户提供全面的技术支持,以配合中芯国际的生产流程。根据客户要求和产品要求确保整个生产过程的完成,与销售、TD、 maskshop,制造部和其他部门合作,提高整个芯片业务和整体客户满意度。

MPW (多项目晶圆服务)

中芯国际为客户提供多项目晶圆片(MPW)服务,该服务使客户能够共享光掩膜版和一次性工程硅圆片,从而降低产品原型的成本,以提供客户更具成本效益的晶圆原型服务。

外包服务

除了中芯国际附属的后段服务公司,中芯国际Turnkey外包服务提供了后段供应链管理,涵盖全系列的芯片测试,芯片凸块服务,封装,和最终测试服务。中芯国际的合作伙伴网络是中芯根据客户需求严格筛选并验证合格的具有领先地位的供货商。

公司业绩

中芯国际2021全年保持产能利用率满载,营业收入356.3亿元,同比增长29.7%;归母净利润107.33亿元,同比增长147.7%;整体业务毛利率29.3%,提升了5.5%。其中,销售的晶圆数量(换成8英寸晶圆)从2020年的569.9万片增加到了2021年的674.7万片,平均售价也从2020的4210元增加到了2021年的4763元。2022年中芯国际的营业收入构成为:集成电路行业占比98.72%。

2022年中芯国际实现营业收入人民币495.16亿元,比上年同期增加 39.0%;实现净利润人民币146.56亿元,比上年同期增加30.8%。报告期内,本集团的经营活动所得现金为人民币 36,591.2 百万元,较上年同期增加 75.5%;购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金为人民币 42,205.6 百万元,较上年同期增加 48.8%。公司财务表现稳健,具备可持续发展的基础。

2023年8月25日,中芯国际发布半年度业绩报告披露,2023年上半年营业收入约213.18亿元,同比减少13.3%;归属于上市公司股东的净利润约29.97亿元,同比减少52.1%;基本每股收益0.38元,同比减少51.9%。

公司文化

机构标识

中芯国际的标识为“SMIC”,是“Semiconductor Manufacturing International Corporation”的缩写,意为“半导体制造国际公司”,这一标识体现了公司的主营业务和国际化发展方向。

机构愿景

成为优质、创新、值得信赖的国际一流集成电路制造企业。

机构价值观

诚信实事求是,秉承原则,坚守承诺,注重我们的每一个行为对企业和社会的影响。

客户服务:主动了解客户的期望,在遵守公司信息安全政策的前提下,努力满足客户的需求,与客户建立合作共赢的长期伙伴关系。

质量:建立全员参与、品质第一、持续改善的观念,坚守质量标准,落实到每项具体工作。

执行:流程规范、纪律严明。通过合理的计划、高效的执行、细节的跟进、问题的及时解决,确保实现目标。

创新:鼓励在产品技术研发、提高生产率和优化工作流程上持续创新、积极实践。

团队:每位同事都是中芯团队的一员。 通过不同业务间的合作,理解彼此的角色和面临的挑战,发扬主人翁精神,勇于承担责任,达成公司目标。

机构使命

中芯国际始终坚持独立性和国际化原则,始终坚持合法合规经营,始终以为全球客户提供高质量的产品和服务为目标而奋斗,始终秉承合规经营、开放创新、共生共赢的态度,致力于推动上下游共同发展,并愿携手国内外的产业链合作伙伴,共同建立和维护健康高效的半导体生态体系。

社会责任

慈善公益

中芯国际积极开展慈善公益活动,捐赠资金和物资支持社会公益事业和灾区救援工作。中芯国际截至2019年,“芯肝宝贝计划”项目累计获得捐款达到2,480万元,累计资助440多名患儿完成手术,让他们获得了第二次生命。其中,公司还成立了中芯公益基金会,专门用于支持公益慈善事业的发展。

可持续发展

中芯国际重视环境保护和可持续发展,致力于推动绿色制造和绿色供应链建设。公司高度关注产品环保指令和限制物质清单等国际环保法规,严格控制环境污染和资源浪费,推动节能减排和循环经济。联合国可持续发展目标(SDGs)是由联合国各成员国共同制定的17项可持续发展目标, 为国际共享的价值体系和实践。结合“联合国可持续发展目标”和“中国落实 2030 年可持续议程国别方案”要求,中芯国际主动响应联合国可持续发展目标 (Sustainable Development Goals, SDGs),结合重要社会责任议题, 将其融入自身 ESG 管理工作当中。

序号

可持续发展目标

响应内容

1

无贫穷

持续开展“芯肝宝贝计划”项目,为消除因病致贫贡献力量

2

零饥饿

坚持参与公益行动,共同努力消除饥饿

3

良好健康与福祉

提供定期职业健康体检与一般健康体检,保障员工健康

4

优质教育

举办中芯学校, 提供优质教育

5

性别平等

推行多元化招聘政策,打造性别平等的职业发展道路

6

清洁饮水和卫生设施

心系员工,为员工提供清洁饮水和卫生设施

7

经济适用的清洁能源

电车通勤,减少传统能源使用, 助力可持续发展

8

体面工作和经济增长

维护员工权益, 提供合理的薪酬与福利

9

产业、创新和基础设施

踊跃参与国内集成电路行业交流和创新共建

10

减少不平等

助力通信与消费相关产品生产, 缩小“数字鸿沟”

11

可持续城市和社区

倡导低碳生活和绿色办公,建设绿色工厂,助力可持续城市和社区

12

负责任消费和生产

根据国际标准生产优质、安全和健康的产品

13

气候行动

坚持节能减排举措,核查温室气体排放,识别气候变化风险与机遇

14

水下生物

定期组织净滩公益活动,保护海洋水生物

15

陆地生物

开展清洁公园公益活动,维护良好的生态环境

16

和平、 正义与强大机构

遵守责任商业联盟准则,鼓励供应商和客户共同遵守准则

17

促进目标实现的伙伴关系

关注供应链商业道德表现,与供应商共同成长

以上数据来源:

所获荣誉

时间

授予单位

荣誉

2017年11月

全球智能信息服务提供商科睿唯安

2017年中国大陆创新企业百强榜单

2019年7月

中国电子信息行业联合会

中国电子信息百强企业名单发布,中芯国际位列第26位

2020年

《财富》中国

2020年《财富》中国500强排行榜排名第427位

2020年5月13日

福布斯

中芯国际名列2020福布斯全球企业2000强榜第1931位

2021年

《财富》中国

2021年《财富》中国500强排行榜排名第382位

2022年11月

赛迪

2022中国先进计算企业百强榜单,排名前10名

2022年

艾媒金榜(iiMedia Ranking)

《 2021年中国信创企业排行榜Top30》与《2022年中国信创企业百强榜》

2022年7月

《财富》中国

2022年《财富》中国500强排行榜排名第352位

公司事件

台积电诉讼案

2003年,在中芯国际紧锣密鼓进行募资、收购和筹备上市的同时,台积电和北美子公司向美国加州联邦地方法院提交诉讼状,起诉中芯国际侵犯专利及窃取商业秘密,要求赔偿10亿美元。历经2年,2005年1月30日,中芯国际和台积电达成庭外和解,根据和解协议,中芯国际赔偿台积电1.75亿美元。

技术窃密案

2018年,中芯国际集成电路制造有限公司一名员工涉嫌窃取公司机密技术并转移至外部,被依法逮捕。事件引起社会广泛关注,涉及到知识产权保护、员工道德和企业内部管理等问题。中芯国际公司表示将继续加强内部管理和知识产权保护,同时也提醒员工遵守职业道德和法律法规。

美国出口管制事件

2020年,中芯国际集成电路制造有限公司因为美国政府对其进行出口管制而成为焦点。美国政府宣布中芯国际有可能对美国国家安全构成威胁,将其列入实体清单。中芯国际对此表示反对和遗憾,并强调公司一直遵守相关法律法规和美国政府出口控制条例。

美国投资者起诉事件

2021年3月,中芯国际集成电路制造有限公司遭到多名美国投资者起诉,指控其在2017年至2021年期间发布虚假陈述,误导投资者。投资者认为,公司在2019年至2020年期间的业绩增长和收购计划等都是虚假宣传,导致投资者蒙受经济损失。中芯国际对此表示反驳,称公司一直遵守相关法律法规和规范性要求,将积极应对投资者的诉讼。